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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导（dǎo）通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    11

    驱动电压(V)：

    10

    通（tōng）道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装（zhuāng）/温（wēn）度（dù）(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描述：

    650V，360mΩ，11A，N沟道基于（yú）超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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