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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟（gōu）道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    550V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道（dào）基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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