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    漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    900

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    1100

    最（zuì）大漏（lòu）极（jí）电流Id(on)(A)：

    5

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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