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    漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    75

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    90

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    40

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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