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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    11

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,360mΩ,11A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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